1 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO46

Produktübersicht – 1 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO46

Die 1-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode (Modell BPD-1STO46B-FW) von Box Optronics ist ein leistungsstarker InGaAs-Fotodetektor, der für Nahinfrarot-Detektionsanwendungen (NIR) entwickelt wurde. Ausgestattet mit einer PIN-Diodenstruktur wandelt es einfallende optische Leistung im Wellenlängenbereich von 900–1650 nm in einen proportionalen Photostrom mit hoher Linearität und Empfindlichkeit um. Mit einer aktiven Fläche von 1 mm Durchmesser. Die in einem hermetischen TO46-Metallgehäuse mit einem flachen optischen Fenster verpackte Fotodiode ist mechanisch robust und gewährleistet eine stabile Leistung unter anspruchsvollen Industrie- und Laborbedingungen. Diese Eigenschaften machen es zu einer ausgezeichneten Wahl für die Überwachung der optischen Leistung, Glasfasertestmessungen, Laserdetektion und NIR-Spektroskopie.

Hauptmerkmale: 1 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO46

• Durchmesser der aktiven Fläche: 1 mm für effiziente Lichtsammlung

• Großer spektraler Reaktionsbereich: 900 nm bis 1650 nm

• Hohe Reaktionsfähigkeit: typisch 0,9 A/W bei 1310 nm, 0,95 A/W bei 1550 nm

• Extrem niedriger Dunkelstrom, niedrige Sperrschichtkapazität

• Hohe Zuverlässigkeit und Langzeitstabilität

• Hermetisches TO46-Metallgehäuse mit flachem Fenster

• Standard-TO-CAN-Konfiguration für einfache Montage

Typische Anwendungen – 1 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO46

• Optische Leistungsmesser und optische Leistungsüberwachungsmodule

• Glasfaser-Test- und Messgeräte

• Optische Signalerkennung und Leistungsüberwachung in Telekommunikationssystemen

• Nahinfrarotspektroskopie (NIR) und Analyseinstrumente

• Systeme zur Überwachung und Steuerung der Laserleistung

• Kalibrierung und Charakterisierung optischer Dämpfungsglieder

• Forschung und Entwicklung in Photoniklaboren

• Optische Modulintegration und photonische Subsystementwicklung

Technische Spezifikationen – 1 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO46

Absolute maximale Nennwerte (TC = 25 °C)

Elektrooptische Eigenschaften (TC = 25°C)

Produktdetails: 1 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO46

Was ist eine InGaAs-PIN-Fotodiode?

Eine InGaAs-PIN-Fotodiode ist ein hochempfindlicher Halbleiterdetektor, der für die optische Nahinfrarot-Detektion (NIR) entwickelt wurde. Basierend auf einer P-I-N-Halbleiterstruktur wandelt es einfallende Photonen mit ausgezeichneter Linearität und Stabilität in Photostrom um.

InGaAs-Fotodioden arbeiten im Bereich von 900 nm bis 1700 nm und bieten eine hohe Reaktionsfähigkeit über die optischen Kommunikationsbänder und den SWIR-Bereich, wodurch sie sich für Glasfasertests, optische Leistungsüberwachung, Spektroskopie und Sensoranwendungen eignen.

Der 1 mm große aktive Bereich bietet eine verbesserte Lichtsammelfähigkeit und eine verbesserte Kopplungstoleranz und sorgt so für ein hervorragendes Gleichgewicht zwischen Empfindlichkeit, Ausrichtungsflexibilität und Erkennungsgeschwindigkeit.

Leistungshighlights – 1 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO46

• Hohe Reaktionsfähigkeit und Quanteneffizienz

• Extrem niedriger Dunkelstrom

• Geringe Kapazität und schnelle Reaktion

• Breite Spektralabdeckung

• Hermetisches TO46-Gehäuse

Gehäuseabmessungen und Pin-Definition – 1 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO46

Verpackungstyp: TO46 hermetisches Metallgehäuse, flaches Fenster (TO-CAN 3-polig)

Dosendurchmesser: φ5,4 ± 0,2 mm (außen), φ4,7 ± 0,1 mm (innen)

Fensterdurchmesser: φ3,9 ± 0,1 mm

Pin-Konfiguration (Ansicht von unten): Pin 1 = Anode (P-Seite), Pin 2 = Gehäuse (GND), Pin 3 = Kathode (N-Seite)

Bestellinformationen

Modellnomenklatur

BPD - X X BIS XX - X - X

Beispiel: BPD-1STO46B-FW

Datenblatt – 1 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO46

Datenblatt

Vorlaufzeit

• Standardeinheiten (vorrätige Modelle): 3–5 Werktage

• Standardproduktion: 10–15 Werktage

• Mengenbestellungen: Bitte kontaktieren Sie uns für den Produktionsplan

• Internationaler Versand: ~5 Werktage (DHL/UPS/FedEx Express)

• Beschleunigter Service: Auf Anfrage verfügbar

Betriebshinweise und Handhabung – 1 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO46

• Fotodioden sind empfindlich gegen elektrostatische Entladungen (ESD) – verwenden Sie immer einen geeigneten ESD-Schutz

• Berühren Sie die Leitungen nicht direkt mit bloßen Fingern, um Verunreinigungen und ESD-Schäden zu vermeiden

• Bewahren Sie unbenutzte Geräte in einer ESD-sicheren Verpackung oder leitfähigen Schalen auf, um Schäden durch elektrostatische Entladung zu vermeiden