2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5
  • 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO52 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5
  • 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO52 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5
  • 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO52 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5

2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5

BPD-2STO5B-FW ist eine 2-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode TO5, die für die Lichterkennung im Wellenlängenbereich von 900 nm bis 1650 nm entwickelt wurde. Mit einer großen aktiven Fläche von 2 mm für eine verbesserte Lichtsammlung, hoher Reaktionsfähigkeit (typ. 0,95 A/W bei 1550 nm), niedrigem Dunkelstrom und niedriger Kapazität. Die Fotodiode ist in einem robusten, hermetisch abgedichteten TO5-Metalldosengehäuse mit einem flachen optischen Fenster untergebracht und bietet zuverlässigen Langzeitbetrieb über einen erweiterten industriellen Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C. Ideal für optische Leistungsmesser, faseroptische Testgeräte, optische Sensorsysteme und NIR-Spektroskopieinstrumente.

Produktübersicht – 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


Die 2-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode TO5 (Modell: BPD-2STO5B-FW) von Box Optronics ist ein leistungsstarker Nahinfrarot-Fotodetektor (NIR), der für optische Leistungsmessungen, Glasfasertests und -messungen, optische Sensoren und Spektroskopieanwendungen entwickelt wurde. Basierend auf einer zuverlässigen PIN-Fotodiodenstruktur wandelt es einfallende optische Signale von 900 nm bis 1650 nm in proportionalen Fotostrom mit ausgezeichneter Linearität, hoher Reaktionsfähigkeit und stabiler Langzeitleistung um.

Aufgrund des großen Erfassungsbereichs eignet es sich besonders für die optische Freiraumerkennung, die Messung kollimierter Strahlen und Anwendungen, bei denen eine effiziente optische Kopplung und einfache Ausrichtung erforderlich sind.

Das kompakte TO5-Gehäusedesign ermöglicht eine einfache Integration in optische Instrumente und photonische Messgeräte.


Hauptmerkmale: 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


· Großer Durchmesser der aktiven Fläche: 2 mm für hervorragende Lichtsammlung und Ausrichtungstoleranz

· Großer spektraler Reaktionsbereich: 900 nm bis 1650 nm

· Hohe Reaktionsfähigkeit: 0,9 A/W typisch bei 1310 nm, 0,95 A/W typisch bei 1550 nm

· Niedriger Dunkelstrom für hochempfindliche Erkennung schwacher Signale

· Geringe Sperrschichtkapazität für schnelle Reaktion und große Bandbreite

· Hohe Zuverlässigkeit und Langzeitstabilität

· Hermetisches TO5-Metallgehäuse mit flachem Fenster


Typische Anwendungen – 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


· Optische Leistungsmesser und optische Leistungsüberwachungsmodule

· Glasfaser-Test- und Messgeräte

· Optische Signalerkennungs- und Leistungsüberwachungssysteme

· Nahinfrarotspektroskopie (NIR) und Analyseinstrumente

· Systeme zur Überwachung und Steuerung der Laserleistung

· Optische Freiraumdetektions- und optische Sensorsysteme

· Kalibrierung und Charakterisierung optischer Dämpfungsglieder

· Photonikforschung und Laborinstrumentierung


Technische Spezifikationen – 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


Absolute maximale Nennwerte (TC = 25 °C)

Parameter

Symbol

Bewertung

Einheit

Sperrspannung

VRmax

20

V

Betriebsgehäusetemperatur

SPITZE

-40 ~ +85

°C

Lagertemperatur

TST

-55 ~ +120

°C

 

Elektrooptische Eigenschaften (TC = 25°C)

Parameter

Symbol

Testbedingung

Min.

Typ.

Max.

Einheit

Durchmesser der aktiven Fläche

φ

-

-

2

-

mm

Spektralbereich

λ

-

900

-

1650

nm

Reaktionsfähigkeit bei 1310 nm

R

VR = 0V

0.85

0.9

-

A/W

Reaktionsfähigkeit bei 1550 nm

R

VR = 0V

-

0.95

-

A/W

Betriebssperrspannung

VR

-

-

-

-5

V

Dunkler Strom

Ausweis

VR = -5V

-

2

10

n / A

Kapazität

C

VR = -5V, f = 1MHz

-

160

230

pF

C

VR = 0V, f = 1MHz

-

400

600


Warum sollten Sie sich für eine 2-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode von Box Optronics entscheiden?


· Konsistente Leistung und Zuverlässigkeit

· Strenge Qualitätskontrolle

· Konkurrenzfähige Preise

· Flexible MOQ – unterstützt sowohl kleine F&E-Mengen als auch Massenproduktionsaufträge

· Internationaler Versand per DHL/UPS/FedEx mit vollständiger Sendungsverfolgung


Gehäuseabmessungen und Pin-Definition – 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5



Bestellinformationen – 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


Modellnomenklatur

BPD - X X BIS XX - X - X

Beispiel: BPD-2STO5B-FW

Feld

Code

Beschreibung

Produktserie

BPD

Box-Fotodiodenserie

Größe des aktiven Bereichs

2S

2S = 2 mm Durchmesser (1S = 1 mm, 3S = 3 mm, 5S = 5 mm)

Pakettyp

TO5

TO5 = TO5-Paket (TO46=TO46)

Pin-Typ

B

B = Pinbelegung Typ B

Fenstertyp

FW

FW = Flaches Fenster


Häufig gestellte Fragen (FAQ) – 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


F: Was ist der Unterschied zwischen 1 mm und 2 mm aktiven Fotodioden?

A: Der Hauptunterschied zwischen den beiden Geräten ist die Größe ihrer aktiven Bereiche.

Das 2-mm-InGaAs-PD verfügt über eine größere Lichtsammelfläche und eine bessere Ausrichtungstoleranz, wodurch es sich ideal für die optische Freiraumdetektion und Anwendungen mit größeren Strahldurchmessern eignet.

Der 1-mm-PD verfügt typischerweise über eine geringere Sperrschichtkapazität, was eine höhere Bandbreite und ein schnelleres Einschwingverhalten ermöglicht.

Die Geräteauswahl sollte auf den wichtigsten Anwendungsanforderungen basieren, einschließlich Lichtsammeleffizienz, Ausrichtungstoleranz und Reaktionsgeschwindigkeit.

F: Welche Sperrspannung sollte ich anwenden?

A: Die empfohlene Betriebssperrspannung für diese Fotodiode beträgt typischerweise -5 V. Das Anlegen einer Sperrvorspannung verringert die Sperrschichtkapazität und vergrößert den Verarmungsbereich, was zur Verbesserung der Bandbreite und der Ladungsträgersammeleffizienz beiträgt.

Allerdings kann eine zu hohe Sperrspannung den Dunkelstrom und das Rauschen erhöhen. Für die meisten Anwendungen bietet -5V ein gutes Gleichgewicht zwischen Geschwindigkeit, Empfindlichkeit und Rauschverhalten.

F: Kann diese Fotodiode für 1550-nm-Anwendungen verwendet werden?

A: Ja. Der BPD-2STO5B-FW verfügt über einen Spektralbereich von 900–1650 nm und bietet eine hohe Empfindlichkeit (0,95 A/W typisch) bei 1550 nm, wodurch er sich gut für optische Kommunikations- und Sensoranwendungen im C-Band eignet.

F: Ist das TO5-Gehäuse hermetisch versiegelt?

A: Ja, das TO5-Gehäuse ist mit einer Metalldose und einem Flachglasfenster hermetisch verschlossen und bietet so Schutz vor Feuchtigkeit, Staub und Umweltschadstoffen. Dies gewährleistet einen zuverlässigen Langzeitbetrieb in verschiedenen Umgebungen.

F: Was ist die Mindestbestellmenge (MOQ)?

A: Die Mindestbestellmenge für die 2-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode TO5 beträgt 1 Einheit. Wir unterstützen flexible Bestellmengen. Bei Standardmodellen können wir von wenigen Stücken für Forschung und Entwicklung und Prototypenbau bis hin zu Tausenden von Einheiten für die Serienproduktion liefern. Kontaktieren Sie uns für spezifische Preise für Ihre benötigte Menge.

F: Bieten Sie Datenblattunterstützung an?

A: Ja, ein vollständiges Datenblatt steht zum Download zur Verfügung.


Datenblatt – 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


Datenblatt


Vorlaufzeit: 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


· Standardeinheiten (vorrätige Modelle): 3–5 Werktage

· Standardproduktion: 10–15 Werktage

· Mengenbestellungen: Bitte kontaktieren Sie uns für den Produktionsplan

· Internationaler Versand: ~5 Werktage (DHL/UPS/FedEx Express)

· Beschleunigter Service: Auf Anfrage verfügbar

Betriebshinweise und Handhabung – 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


· Fotodioden sind elektrostatische Entladungsgeräte (ESD). Bei der Handhabung sollten stets geeignete ESD-Schutzverfahren befolgt werden.

· Berühren Sie die Leitungen und das optische Fenster nicht direkt mit bloßen Fingern, um Verunreinigungen und mögliche ESD-Schäden zu vermeiden.

· Bewahren Sie unbenutzte Geräte in ESD-sicherer Verpackung oder leitfähigen Schalen auf, um das Risiko von Schäden durch elektrostatische Entladung zu minimieren.

· Überschreiten Sie nicht die im Datenblatt angegebenen absoluten Höchstwerte

· Wenn eine Kontamination auftritt, reinigen Sie das optische Fenster sorgfältig mit Isopropylalkohol (IPA) und einem fusselfreien Tupfer.

· Achten Sie beim Betrieb auf die richtige Polarität. Eine falsche Vorspannungspolarität kann zu Fehlfunktionen führen und bei übermäßigem Vorwärtsstrom zu dauerhaften Schäden führen.

 

Hot-Tags: China 2 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5 Hersteller, Lieferant, Fabrik
Anfrage absenden
Kontaktinformation
  • Adresse

    Raum 901, Gebäude A, Rongchao New Era Plaza, Nr. 3 Lanqing 1st Road, Luhu Community, Unterbezirk Guanhu, Bezirk Longhua, Shenzhen, 518110, China

Suchen Sie nach wettbewerbsfähigen Preisen für Großbestellungen? Senden Sie eine Anfrage an Box Optronics für leistungsstarke DFB-Laser, SLEDs und PM-Fasergeräte. Erhalten Sie innerhalb von 24 Stunden ein professionelles Preisangebot.
X
Wir verwenden Cookies, um Ihnen ein besseres Surferlebnis zu bieten, den Website-Verkehr zu analysieren und Inhalte zu personalisieren. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu.Datenschutzrichtlinie