3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5
  • 3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO53 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5
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3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5

Box Optronics, ein professioneller Hersteller und Lieferant optoelektronischer Komponenten, bietet die 3-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode TO5 (Modell: BPD-3STO5B-FW) an. Mit einer großen aktiven Fläche von 3 mm für eine verbesserte Lichtsammlung, hoher Reaktionsfähigkeit (typ. 0,9 A/W bei 1310 nm, 0,95 A/W bei 1550 nm), niedrigem Dunkelstrom und niedriger Kapazität. Das kompakte TO5-Gehäusedesign ermöglicht eine einfache Integration. Ideal für Glasfaser-Kommunikationsinstrumente, optische Leistungsmessung/-überwachung.

Produktübersicht – 3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


Die BPD-3STO5B-FW von Box Optronics ist eine InGaAs-PIN-Fotodiode mit 3 mm aktiver Fläche im TO5-Gehäuse und einem flachen Fenster. Diese 3-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode TO5 wurde für optische Leistungsmesser, Glasfasertests und -messungen, optische Sensoren und NIR-Spektroskopieanwendungen entwickelt. Basierend auf einer zuverlässigen PIN-Fotodiodenstruktur wandelt es einfallende optische Signale von 900 nm bis 1650 nm in proportionalen Fotostrom mit ausgezeichneter Linearität, hoher Empfindlichkeit und stabiler Langzeitleistung um.


Hauptmerkmale: 3-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode TO5



● Großer aktiver Flächendurchmesser: 3 mm

● Großer spektraler Ansprechbereich: 900 nm bis 1650 nm, deckt wichtige Nahinfrarot-Detektionsanwendungen (NIR) ab

● Hohe Reaktionsfähigkeit: 0,9 A/W typisch bei 1310 nm, 0,95 A/W typisch bei 1550 nm

● Niedriger Dunkelstrom für hochempfindliche Schwachsignalerkennung

● Geringe Sperrschichtkapazität, unterstützt schnelle Reaktionsgeschwindigkeit und Betrieb mit großer Bandbreite

● Hermetisches TO5-Metallgehäuse mit flachem Fenster



Typische Anwendungen: 3-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode TO5



● Optische Leistungsmesser und optische Leistungsüberwachungsmodule

● Glasfaser-Test- und Messgeräte

● Optische Signalerkennungs- und Leistungsüberwachungssysteme

● Messung und Charakterisierung schwacher optischer Signale

● Nahinfrarotspektroskopie (NIR) und Analyseinstrumente

● Systeme zur Überwachung und Steuerung der Laserleistung

● Optische Freiraumdetektions- und optische Sensorsysteme

● Photonikforschung und Laborinstrumentierung

● Kalibrierung und Charakterisierung optischer Dämpfungsglieder



Technische Spezifikationen – 3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


Absolute maximale Nennwerte (TC = 25 °C)

Parameter

Symbol

Bewertung

Einheit

Sperrspannung

VRmax

20

V

Betriebsgehäusetemperatur

SPITZE

-40 ~ +85

°C

Lagertemperatur

TST

-55 ~ +120

°C

Elektrooptische Eigenschaften (TC = 25°C)

Parameter

Symbol

Testbedingung

Min.

Typ.

Max.

Einheit

Durchmesser der aktiven Fläche

φ

-

-

3

-

mm

Spektralbereich

λ

-

900

-

1650

nm

Reaktionsfähigkeit bei 1310 nm

R

VR = 0V

0.85

0.9

-

A/W

Reaktionsfähigkeit bei 1550 nm

R

VR = 0V

-

0.95

-

A/W

Betriebssperrspannung

VR

-

-

-

-5

V

Dunkler Strom

Ausweis

VR = -5V

-

2

10

n / A

Kapazität

C

VR = -5V, f = 1MHz

-

160

230

pF

Kapazität

C

VR = 0V, f = 1MHz

-

400

600

pF


Gehäuseabmessungen und Pin-Definition – 3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5

Bestellinformationen – 3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


Modellnomenklatur

BPD - X X BIS XX - X - X

Beispiel: BPD-3STO5B-FW

Feld

Code

Beschreibung

Produktserie

BPD

Box-Fotodiodenserie

Größe des aktiven Bereichs

3S

3S = 3 mm Durchmesser

 (1S=1mm,

2S=2mm,

5S=5mm)

Pakettyp

TO5

TO5 = TO5-Paket (TO46=TO46)

Pin-Typ

B

B = Pinbelegung Typ B

Fenstertyp

FW

FW = Flaches Fenster


Häufig gestellte Fragen (FAQ) – 3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


F: Was ist die Mindestbestellmenge (MOQ)?

A: Die Mindestbestellmenge für die 3-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode TO5 beträgt 1 Einheit. Wir unterstützen flexible Bestellmengen. Kontaktieren Sie uns für spezifische Preise für Ihre benötigte Menge.

F: Welchen Wellenlängenbereich kann diese 3-mm-InGaAs-Fotodiode erkennen?

A: Diese InGaAs-PIN-Fotodiode bietet einen breiten Nahinfrarot-Reaktionsbereich von 900 nm bis 1650 nm und deckt häufig verwendete optische Wellenlängen ab, einschließlich der Kommunikationsbänder 1310 nm und 1550 nm.

Es eignet sich für NIR-Detektionsanwendungen wie optische Leistungsmessung, Sensorik, Spektroskopie und optische Instrumentierung.

F: Ist das TO5-Gehäuse hermetisch verschlossen?

A: Ja. Das TO5-Metallgehäuse bietet eine hermetisch abgedichtete Struktur und schützt den Fotodiodenchip vor Feuchtigkeit und Umweltverschmutzung.

Das flache Design des optischen Fensters ermöglicht eine bequeme Integration in optische Mess- und Sensorsysteme bei gleichzeitiger Beibehaltung der langfristigen Zuverlässigkeit.


Datenblatt – 3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5


Datenblatt


Vorlaufzeit: 3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5



● Standardeinheiten (vorrätige Modelle): 3–5 Werktage

● Standardproduktion: 10–15 Werktage

● Großbestellungen: Bitte kontaktieren Sie uns für den Produktionsplan

● Internationaler Versand: ~5 Werktage (DHL/UPS/FedEx Express)

● Beschleunigter Service: Auf Anfrage verfügbar



Betriebshinweise und Handhabung – 3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5



● Fotodioden sind empfindlich gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Bei der Handhabung sollten stets geeignete ESD-Schutzverfahren befolgt werden.

● Vermeiden Sie es, die Leitungen und das optische Fenster direkt mit bloßen Fingern zu berühren, um Verunreinigungen und mögliche ESD-Schäden zu vermeiden.

● Lagern Sie unbenutzte Geräte in ESD-sicherer Verpackung oder leitfähigen Schalen, um das Risiko von Schäden durch elektrostatische Entladung zu minimieren.

● Überschreiten Sie nicht die im Datenblatt angegebenen absoluten Höchstwerte.

● Wenn eine Kontamination auftritt, reinigen Sie das optische Fenster sorgfältig mit Isopropylalkohol (IPA) und einem fusselfreien Tupfer.

● Achten Sie beim Betrieb auf die richtige Polarität. Eine falsche Vorspannungspolarität kann zu Fehlfunktionen führen und bei übermäßigem Vorwärtsstrom zu dauerhaften Schäden führen.



Verwandte Produkte – 3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5



Box Optronics bietet eine Reihe von InGaAs-PIN-Fotodioden mit unterschiedlichen aktiven Flächengrößen und Gehäuseoptionen an, um unterschiedlichen Anwendungsanforderungen gerecht zu werden:

● 1-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode TO46 (Modell BPD-1STO46B-FW): kompakte Fotodiodenlösung mit kleiner aktiver Fläche, geringer Sperrschichtkapazität und schneller Reaktionsfähigkeit, ideal für platzbeschränkte optische Mess- und Erkennungssysteme.

● 2-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode TO5 (Modell BPD-2STO5B-FW): ein ausgewogenes Design mit verbesserter Lichtsammelfähigkeit und Ausrichtungstoleranz bei gleichzeitig kompakter TO5-Gehäusegröße, geeignet für allgemeine optische Leistungsmessung und NIR-Detektionsanwendungen.

● 5-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode TO5 (Modell BPD-5STO5B-FW): großflächige Fotodiode für maximale Lichtsammeleffizienz und hohe Kopplungstoleranz, geeignet für optische Freiraumdetektion, Messung großer Strahlen und schwache optische Signaldetektionsanwendungen.

● Glasfaser-Pigtail-InGaAs-Fotodiodenmodule: integrierte fasergekoppelte Fotodioden mit FC/PC- oder FC/APC-Anschlüssen für den direkten Glasfaseranschluss.

● Module zur optischen Leistungsmessung: Komplettlösungen zur Messung der optischen Leistung, die InGaAs-Fotodioden mit Signalverstärkung, Kalibrierung und digitalen Anzeigefunktionen für eine genaue Überwachung der optischen Leistung integrieren.





Hot-Tags: China 3 mm InGaAs PIN-Fotodiode TO5 Hersteller, Lieferant, Fabrik
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